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EP2W-D+技术参数

  • 制造厂商:Mini-Circuits
  • 类别封装:MMIC芯片 Power Splitters/Combiners, Die, 2 Way, 0 Degree, 500 MHz to 43.5 GHz,标准封装
  • 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
  • 专注销售Mini-Circuits射频微波器件,承诺原装!现货当天发货!
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EP2W-D+技术参数详情说明:

Mini-Circuits EP2W-D+作为一款高性能MMIC功率分配/合成芯片,支持2路0度相位分配,工作频率覆盖500MHz至9500MHz(9.5GHz),典型插入损耗仅1.8dB(高于3dB基准),隔离度达19.4dB,确保信号在多通道间的高效隔离与低损耗传输,适用于对信号完整性要求严苛的高频系统设计。

该芯片具备高功率处理能力与直流通过特性,相位不平衡度典型值1.7°,幅度不平衡度仅0.1dB,能够在宽频带内保持稳定的功率分配性能,特别适合需要紧凑尺寸与高可靠性的射频前端模块,更多技术细节可查看EP2W-D+详细规格。

  • 制造商产品型号: EP2W-D+
  • 制造商: Mini-Circuits
  • 功能类别: MMIC芯片 Power Splitters/Combiners, Die, 2 Way, 0 Degree, 500 MHz to 43.5 GHz
  • Freq. Low (MHz): 500
  • Freq. Hi (MHz): 9500
  • Isolation (dB), Typ.: 19.4
  • Insertion Loss (dB) above 3 dB, Typ.: 1.8
  • Phase Unbalance (deg), Typ.: 1.7
  • Amplitude Unbalance (dB), Typ.: 0.1
  • Features: High Power, DC Passing
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供EP2W-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

EP2W-D+应用范围:

在无线通信系统中,EP2W-D+常用于基站功率放大器的前端,将射频信号均分为两路进行独立处理或合成,提升系统功率效率与信号稳定性,其500MHz-9.5GHz的工作范围覆盖主流蜂窝频段(如LTE、5G),支持多频段共址应用。

雷达与电子战系统中,该芯片凭借高功率承受能力与优秀的隔离性能,可实现信号的精确分配与合成,确保雷达接收机的灵敏度与发射功率的稳定性,同时适用于矢量网络分析仪等测试仪器作为内部功率分配单元,具体应用方案参考EP2W-D+应用指南。

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