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EPQ-133-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Power Splitters/Combiners, Die, 2 Way, 90 Degree,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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EPQ-133-D+技术参数详情说明:
EPQ-133-D+作为Mini-Circuits推出的MMIC芯片功率分配器/合成器,核心优势在于其6-14GHz的宽频带工作范围,能够满足现代无线通信系统对多频段信号处理的需求。典型插入损耗低至0.6dB(优于3dB基准),隔离度达20dB,有效减少端口间信号串扰,确保信号分配效率与纯净度,特别适用于对信号质量要求严苛的射频前端电路。
该芯片采用2路90度相位设计,相位不平衡度典型值为8.8度,幅度不平衡度控制在1.6dB以内,展现出优异的幅度相位一致性,可有效降低系统误差。作为无源器件,其宽频带特性覆盖了常用 microwave 频段,无需额外匹配电路即可实现多频段信号处理,简化了系统设计复杂度,同时提升了整体可靠性。
- 制造商产品型号: EPQ-133-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Power Splitters/Combiners, Die, 2 Way, 90 Degree
- Freq. Low (MHz): 6000
- Freq. Hi (MHz): 14000
- Isolation (dB), Typ.: 20
- Insertion Loss (dB) above 3 dB, Typ.: 0.6
- Phase Unbalance (deg), Typ.: 8.8
- Amplitude Unbalance (dB), Typ.: 1.6
- Features: Wideband
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供EPQ-133-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
EPQ-133-D+应用范围:
在通信基站系统中,EPQ-133-D+常用于多载波信号的功率分配与合成,其低插入损耗特性能够最大限度减少信号功率衰减,保障基站覆盖范围与信号强度。宽频带设计使其支持从LTE到5G多制式信号的并行处理,满足频谱资源动态分配的需求,同时20dB的高隔离度有效抑制了不同频段间的干扰,提升系统抗干扰能力。
在雷达与电子战系统中,该芯片凭借其90度相位平衡特性,可精准实现信号的正交分离与合成,用于相控阵雷达的子阵信号分配或接收通道的信号合成。其宽频带特性覆盖了X波段至Ku波段,适用于脉冲雷达与连续波雷达系统,幅度与相位的不平衡度控制在1.6dB和8.8度以内,确保了雷达信号处理的精确度,为目标探测与识别提供了稳定的信号保障。
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