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MNA-2A-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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MNA-2A-D+技术参数详情说明:
Mini-Circuits的MNA-2A-D+是一款专为高射频性能设计的MMIC芯片,属于Monolithic Amplifiers类别,覆盖DC至50GHz频率范围,典型增益高达14.7dB,同时噪声系数低至5.4dB,确保信号处理的高保真度。
该芯片在500MHz至4500MHz频段表现出色,输出功率在1dB压缩点可达17.5dBm,三阶截断点IP3为29dBm,输入和输出VSWR分别为1.3和1.5,确保良好的阻抗匹配。支持2.8V或5.0V直流电压,工作电流仅79-84mA,并具备高直接性特性,适合紧凑型射频电路设计。
- 制造商产品型号: MNA-2A-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz
- F Low (MHz): 500
- F High (MHz): 4500
- Gain (dB) Typ.: 14.7
- Power Out (dBm) @ 1dB Comp. Typ.: 17.5
- NF (dB) Typ.: 5.4
- IP3 (dBm) Typ.: 29
- Input VSWR (:1) Typ.: 1.3
- Output VSWR (:1) Typ.: 1.5
- DC Voltage (V): 2.8/5.0
- DC Current (mA): 79/84
- Features: High Directivity
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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MNA-2A-D+应用范围:
MNA-2A-D+广泛应用于5G通信基站和卫星接收系统,其宽带特性和高增益设计能有效提升信号强度,减少传输损耗,确保高速数据传输的稳定性。
在雷达和电子战领域,该芯片的低噪声系数和高线性度使其成为理想选择,可增强目标检测精度,同时简化射频前端设计,适用于军事和航空航天应用场景。
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