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PMA2-162LN-D+技术参数

  • 制造厂商:Mini-Circuits
  • 类别封装:MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz,标准封装
  • 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
  • 专注销售Mini-Circuits射频微波器件,承诺原装!现货当天发货!
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PMA2-162LN-D+技术参数详情说明:

PMA2-162LN-D+ 是由 Mini-Circuits 制造的先进 MMIC 芯片,专为 DC 至 50 GHz 的宽带放大应用设计,典型增益为 22.7 dB,在 1 dB 压缩点输出功率为 20 dBm,噪声系数低至 0.5 dB,确保信号质量优异。其频率范围覆盖 700 MHz 至 1600 MHz,输入和输出 VSWR 均为 1.3,提供良好的阻抗匹配,详情请查看 PMA2-162LN-D+

该芯片工作电压为 4 V,电流消耗为 55 mA,具有低噪声特性,适合低噪声放大器应用。其 IP3 典型值为 30 dBm,确保高线性度,同时功耗优化,适合紧凑型射频设计。

  • 制造商产品型号: PMA2-162LN-D+
  • 制造商: Mini-Circuits
  • 功能类别: MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz
  • F Low (MHz): 700
  • F High (MHz): 1600
  • Gain (dB) Typ.: 22.7
  • Power Out (dBm) @ 1dB Comp. Typ.: 20
  • NF (dB) Typ.: 0.5
  • IP3 (dBm) Typ.: 30
  • Input VSWR (:1) Typ.: 1.3
  • Output VSWR (:1) Typ.: 1.3
  • DC Voltage (V): 4
  • DC Current (mA): 55
  • Features: Low Noise
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供PMA2-162LN-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

PMA2-162LN-D+应用范围:

PMA2-162LN-D+ 广泛应用于 5G 通信系统、雷达设备和卫星通信模块中,其高增益和低噪声特性使其成为接收链路和前端放大器的理想选择,提升信号在复杂环境中的稳定性。更多应用信息请访问 PMA2-162LN-D+

在测试和测量设备中,这款 MMIC 芯片用于构建低噪声前置放大器,提高信号采集的精度,其宽频带覆盖和线性度确保在多种射频场景下的性能稳定,如频谱分析仪和信号发生器。

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