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PMA2-33LN-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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PMA2-33LN-D+技术参数详情说明:
PMA2-33LN-D+作为Mini-Circuits推出的高性能MMIC芯片,在400MHz至3GHz宽频带范围内实现典型增益18.4dB,同时保持0.47dB的超低噪声系数,显著提升接收系统灵敏度。该芯片采用3V单电源供电,工作电流仅需58mA,在保证性能的同时兼顾能效优化,其输入/输出VSWR分别控制在1.5:1和1.1:1,有效减少信号反射,确保阻抗匹配稳定性。
在动态性能方面,PMA2-33LN-D+的1dB压缩点输出功率达17.6dBm,三阶交调截点(IP3)高达33.8dBm,可满足高线性度应用场景需求。作为一款集成化Monolithic Amplifiers芯片,其“低噪声”核心特性使其成为LNA、中频放大等模块的理想选择,尤其适用于对信噪比要求严苛的射频前端设计。
- 制造商产品型号: PMA2-33LN-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz
- F Low (MHz): 400
- F High (MHz): 3000
- Gain (dB) Typ.: 18.4
- Power Out (dBm) @ 1dB Comp. Typ.: 17.6
- NF (dB) Typ.: 0.47
- IP3 (dBm) Typ.: 33.8
- Input VSWR (:1) Typ.: 1.5
- Output VSWR (:1) Typ.: 1.1
- DC Voltage (V): 3
- DC Current (mA): 58
- Features: Low Noise
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供PMA2-33LN-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
PMA2-33LN-D+应用范围:
PMA2-33LN-D+凭借DC至50 GHz的超宽频带覆盖和低噪声特性,广泛应用于5G/6G通信基站、卫星通信接收系统及电子侦察设备的高频信号放大链路,有效提升微弱信号检测能力与系统动态范围。
在雷达与测试测量领域,该MMIC芯片可作为接收通道的前置放大器,配合其优异的线性度与高IP3性能,满足雷达脉冲信号放大、频谱分析仪等设备对信号保真度的严苛要求,同时小巧的芯片尺寸便于集成于紧凑型射频模块中,适应现代电子设备小型化设计趋势。
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