RDC-10-122-75X+技术参数

该RDC-10-122-75X+射频耦合器采用Transformer构造，工作频率范围为5至1250 MHz，阻抗75欧姆，典型耦合度10 dB，主线路损耗仅1.2 dB。其VSWR比值为1.22:1，典型方向性20 dB，最大输入功率1 W，确保在严苛RF环境中的稳定性能。

作为一款Directional类型耦合器，RDC-10-122-75X+采用TT2315封装，SMT设计便于高效集成，适用于空间受限的应用场景。其低损耗特性使其成为信号分配和功率监控的理想选择，支持5 GHz以下宽频带操作。

• 制造商产品型号: RDC-10-122-75X+
• 制造商: Mini-Circuits
• 功能类别: 射频耦合器
• Case Style: TT2315
• Description: 10 dB SMT Directional Coupler, 5 - 1250 MHz
• Impedance: 75
• F Low (MHz): 5
• F High (MHz): 1250
• Coupling (dB) Nom.: 10
• Mainline Loss (dB) Typ.: 1.2
• Directivity (dB) Typ.: 20
• VSWR (:1) Typ.: 1.22
• Power Input Max. (W): 1
• Type: Directional
• Construction: Transformer
• Feature: -
• Pkg.: SMT
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴，我们长期提供RDC-10-122-75X+现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。

在通信系统中，RDC-10-122-75X+射频耦合器用于信号监控和功率分配，确保基站和发射器的高效运行。其紧凑SMT封装便于在PCB板上直接安装，减少空间占用。

在测试设备中，RDC-10-122-75X+提供精确的耦合信号，用于校准和测量RF信号强度。其宽频带覆盖5-1250 MHz，使其适用于实验室和工业应用中的信号分析任务。