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RDC17.5-182M75+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:射频耦合器,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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RDC17.5-182M75+技术参数详情说明:
RDC17.5-182M75+是Mini-Circuits制造的射频耦合器,采用TT2315-3封装,覆盖5-1800MHz宽频段,75阻抗,标称耦合度17.5dB,典型主线损耗仅0.8dB,确保信号传输高效稳定。
这款方向耦合器具有高方向性21dB,典型VSWR 1.2:1,最大输入功率2W,变压器构造设计,适用于各种射频应用环境,提供可靠性能和低失真。
- 制造商产品型号: RDC17.5-182M75+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: 射频耦合器
- Case Style: TT2315-3
- Description: 17.5 dB SMT Directional Coupler, 5 - 1800 MHz, 75
- Impedance: 75
- F Low (MHz): 5
- F High (MHz): 1800
- Coupling (dB) Nom.: 17.5
- Mainline Loss (dB) Typ.: 0.8
- Directivity (dB) Typ.: 21
- VSWR (:1) Typ.: 1.2
- Power Input Max. (W): 2
- Type: Directional
- Construction: Transformer
- Feature: -
- Pkg.: SMT
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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RDC17.5-182M75+应用范围:
在无线通信系统中,RDC17.5-182M75+用于信号监控和功率分配,其宽频段覆盖和低损耗特性使其成为基站和移动设备的关键组件。
此外,在射频测试和测量设备中,这款耦合器提供精确信号采样,确保系统可靠性,适合实验室校准和工业自动化应用场景。
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