

TSS-53LNB-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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TSS-53LNB-D+技术参数详情说明:
Mini-Circuits TSS-53LNB-D+作为一款高性能MMIC芯片,工作频率覆盖500MHz至6GHz(DC-50GHz更宽范围可选),典型增益21.4dB,能在保证信号强度的同时将噪声控制在1.3dB,特别适合对信噪比敏感的接收系统。其1dB压缩点输出功率20.7dBm,三阶截断点(IP3)达35dBm,在发射端应用中可提供良好的线性度,减少信号失真,而输入/输出VSWR分别优化至1.2:1和1.4:1,确保与前后级电路的高效匹配,降低驻波损耗。
该芯片采用5V直流供电,工作电流仅82mA,在提供高性能的同时兼顾了功耗控制,满足电池供电设备的需求。独特的Bypass功能设计允许在不需要放大时快速切断信号路径,提升系统灵活性。TSS-53LNB-D+采用小型芯片封装,无需外部匹配元件,可直接集成到PCB板,大幅节省空间,是射频模块设计的理想选择。
- 制造商产品型号: TSS-53LNB-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Monolithic Amplifiers, Die, DC to 50 GHz
- F Low (MHz): 500
- F High (MHz): 6000
- Gain (dB) Typ.: 21.4
- Power Out (dBm) @ 1dB Comp. Typ.: 20.7
- NF (dB) Typ.: 1.3
- IP3 (dBm) Typ.: 35
- Input VSWR (:1) Typ.: 1.2
- Output VSWR (:1) Typ.: 1.4
- DC Voltage (V): 5
- DC Current (mA): 82
- Features: Bypass
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供TSS-53LNB-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
TSS-53LNB-D+应用范围:
在5G/6G移动通信基站中,TSS-53LNB-D+可作为低噪声前置放大器,有效提升接收链路的灵敏度,同时其宽频带特性支持多频段信号的统一处理,简化基站射频前端设计。在卫星通信终端中,该芯片的DC-50GHz工作范围能够覆盖S至Ku波段信号,21.4dB的高增益可补偿长距离传输的信号衰减,而1.3dB的低噪声系数确保微弱信号的可靠接收。
雷达系统与电子战设备是TSS-53LNB-D+的另一重要应用场景。其35dBm的高IP3值使其在强干扰环境下仍能保持良好的线性度,避免交调失真;20.7dBm的1dB压缩点输出功率满足雷达发射机的驱动需求。此外,芯片的小型化特性和低功耗设计,使其适用于相控阵雷达中的T/R组件集成,提升系统整体性能与可靠性。
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