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XLF-112H-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Reflectionless Low Pass Filters, MMIC Die, DC to 17000 MHz,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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XLF-112H-D+技术参数详情说明:
XLF-112H-D+作为Mini-Circuits推出的MMIC反射式低通滤波器芯片,覆盖DC至17000MHz超宽频段,其中通带范围为DC-1050MHz,典型通带驻波比(VSWR)仅1.3:1,确保信号传输的低损耗与高稳定性,特别适用于对信号完整性要求严苛的射频前端电路。
该芯片具备优异的抑制性能,在2000-10000MHz频段可实现40dB以上的衰减,10000-19000MHz频段抑制更高达50dB;通带最大输入功率达7.9W,阻带为1.58W,满足高功率射频应用场景,其反射less设计有效减少信号反射,提升系统整体效率。
- 制造商产品型号: XLF-112H-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Reflectionless Low Pass Filters, MMIC Die, DC to 17000 MHz
- Passband Freq. (MHz): DC-1050
- fco, MHz Nom. (loss 3 dB): 1200
- Stopband Freq. (MHz) (loss 14 dB) Typ.: -
- Stopband Freq. (MHz) (loss 20 dB) Typ.: -
- Stopband Freq. (MHz) (loss 30 dB) Typ.: 2000-2200
- Stopband Freq. (MHz) (loss 40 dB) Typ.: 2200-10000
- Stopband Freq. (MHz) (loss 50 dB) Typ.: 10000-19000
- Passband VSWR (:1) Typ.: 1.3
- Stopband VSWR (:1) Typ.: 2.1
- Passband Max Input Power (W): 7.9
- Stopband Max Input Power (W): 1.58
- Features: HIGH REJECTION, REFLECTIONLESS
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供XLF-112H-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
XLF-112H-D+应用范围:
在无线通信系统中,XLF-112H-D+广泛应用于基站、卫星通信及雷达设备,有效滤除带外干扰信号,确保接收机灵敏度和发射机纯净度,其DC至17000MHz的宽频率范围覆盖了从低频到微波的多种通信频段。
此外,该MMIC芯片还适用于精密测试仪器、医疗电子设备以及航空航天领域,凭借其高抑制特性、反射less设计及可靠的功率处理能力,为各类射频系统提供稳定的滤波解决方案,满足不同环境下的严苛性能要求。
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