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XLF-662M-D+技术参数
- 制造厂商:Mini-Circuits
- 类别封装:MMIC芯片 Reflectionless Low Pass Filters, MMIC Die, DC to 17000 MHz,标准封装
- 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
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XLF-662M-D+技术参数详情说明:
XLF-662M-D+ 是Mini-Circuits制造的一款先进MMIC芯片,功能类别为反射式低通滤波器,工作频率范围从DC到17000 MHz。通带频率为DC-6600 MHz,截止频率典型值为7100 MHz(-3 dB点),VSWR在通带中仅1.2,确保低反射和信号完整性。这款芯片的阻带特性尤为突出,在30 dB衰减下频率覆盖9200-18000 MHz,40 dB衰减下扩展至18000-43500 MHz,有效抑制干扰信号。
在功率处理方面,XLF-662M-D+ 表现卓越,通带最大输入功率可达5W,阻带为1.3W,满足高功率射频应用需求。其REFLECTIONLESS设计特性确保在滤波过程中无反射损耗,提升系统效率。同时,阻带VSWR典型值为1.5,平衡了信号隔离与稳定性,适用于紧凑型电子设备。
- 制造商产品型号: XLF-662M-D+
- 制造商: Mini-Circuits
- 功能类别: MMIC芯片 Reflectionless Low Pass Filters, MMIC Die, DC to 17000 MHz
- Passband Freq. (MHz): DC-6600
- fco, MHz Nom. (loss 3 dB): 7100
- Stopband Freq. (MHz) (loss 14 dB) Typ.: -
- Stopband Freq. (MHz) (loss 20 dB) Typ.: -
- Stopband Freq. (MHz) (loss 30 dB) Typ.: 9200-18000
- Stopband Freq. (MHz) (loss 40 dB) Typ.: 18000-43500
- Stopband Freq. (MHz) (loss 50 dB) Typ.: -
- Passband VSWR (:1) Typ.: 1.2
- Stopband VSWR (:1) Typ.: 1.5
- Passband Max Input Power (W): 5
- Stopband Max Input Power (W): 1.3
- Features: REFLECTIONLESS
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供XLF-662M-D+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
XLF-662M-D+应用范围:
XLF-662M-D+ 广泛应用于射频通信系统,如基站、卫星设备和移动通信中,作为MMIC芯片实现高效滤波。其DC至6600 MHz通带覆盖确保信号在低频段的纯净传输,而高阻带衰减特性(40 dB以上)有效抑制高频干扰,保障通信质量。
在测试和测量领域,XLF-662M-D+ 的反射式设计和低VSWR(通带1.2)使其成为信号分析仪和频谱仪的理想选择。高功率处理能力(5W)和宽频率范围(DC至17000 MHz)支持精确的信号测量,适用于实验室和工业环境,确保设备在严苛条件下的可靠性。
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