ZABT-80W-13-S+技术参数

制造厂商：Mini-Circuits
类别封装：射频和微波偏置三通-同轴电缆，宽带，100 kHz 至 54 GHz，标准封装
技术参数：Mini-Circuits 射频微波器件
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ZABT-80W-13-S+技术参数详情说明：

ZABT-80W-13-S+ 作为 Mini-Circuits 的旗舰射频偏置三通，采用AW1564案例风格设计，提供从100 kHz至54 GHz的宽带操作，确保信号传输在20 MHz至1000 MHz范围内保持低插入损耗0.6 dB和高直流端口隔离度50 dB。其典型VSWR值1.2和最大输入电流5000 mA，使其在严苛环境中表现卓越，满足高功率射频需求。了解更多详情，请访问 ZABT-80W-13-S+。

该器件专为宽带射频应用优化，频率范围覆盖20 MHz至1000 MHz，插入损耗和隔离度参数确保信号完整性不受干扰，同时支持高达5000 mA的输入电流，适用于微波通信和测试设备。其VSWR典型值1.2进一步提升了系统稳定性，是工程师的理想选择。点击 ZABT-80W-13-S+ 查看完整规格。

制造商产品型号: ZABT-80W-13-S+
制造商: Mini-Circuits
功能类别: 射频和微波偏置三通-同轴电缆，宽带，100 kHz 至 54 GHz
案例风格: AW1564
F 低频 (MHz): 20
F 高 (MHz): 1000
输入电流（mA）最大值: 5000
插入损耗（dB）典型值: 0.6
直流端口隔离度（dB）典型值: 50
VSWR（：1）典型值: 1.2
更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴，我们长期提供ZABT-80W-13-S+现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。

ZABT-80W-13-S+应用范围：

在微波通信系统中，ZABT-80W-13-S+ 广泛用于偏置电源注入，支持5G、卫星通信等高频应用，其宽带特性确保信号从100 kHz至54 GHz无失真传输，低插入损耗0.6 dB和高隔离度50 dB优化了系统性能。工程师常将其集成到射频测试台，实现电源与信号的分离，减少干扰。了解更多应用案例，访问 ZABT-80W-13-S+。

测试设备领域，该三通器件提供稳定VSWR 1.2和高电流支持，适用于实验室仪器和雷达系统，确保测量精度和可靠性。其宽带设计覆盖20 MHz至1000 MHz，满足多样化测试需求，同时直流端口隔离度50 dB防止信号串扰。点击 ZABT-80W-13-S+ 探索更多应用场景。