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ZAS-3+ 图片

ZAS-3+技术参数

  • 制造厂商:Mini-Circuits
  • 类别封装:衰减器/开关/双相调制器,同轴,1 MHz 至 2 GHz,标准封装
  • 技术参数:Mini-Circuits 射频微波器件
  • 专注销售Mini-Circuits射频微波器件,承诺原装!现货当天发货!
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ZAS-3+技术参数详情说明:

Mini-Circuits ZAS-3+ 是一款高性能衰减器/开关/双相调制器,采用同轴接口设计,工作频率范围从1 MHz到2 GHz,覆盖宽频带应用。在±20 mA控制电流下,中频插入损耗典型值为1.4 dB,最大值2 dB,总频带插入损耗典型值1.6 dB,最大值2.5 dB,确保信号衰减精确且稳定,同时保持高隔离度,0 mA时输入/输出隔离度在低量程典型65 dB,中范围50 dB,上范围50 dB,最大值分别降至50 dB、40 dB和35 dB。

该器件具有出色的功率处理能力,输入功率@1 dB压缩点典型值15 dBm,最大无损输入功率30 dBm,适合高功率射频环境。双相调制性能优异,在±20 mA时双相幅度偏差典型0.1 dB,相位偏差典型1度,确保调制精度,其M22封装设计提供紧凑可靠的解决方案,适用于空间受限的应用场景。

  • 制造商产品型号: ZAS-3+
  • 制造商: Mini-Circuits
  • 功能类别: 衰减器/开关/双相调制器,同轴,1 MHz 至 2 GHz
  • 案例风格: M22
  • 射频频率低(MHz): 1
  • 射频频率 Hi (MHz): 200
  • 控制频率低(MHz): DC
  • 控制频率 Hi (MHz): 0.05
  • 中频插入损耗(dB)在±20 mA时,典型值: 1.4
  • 中频插入损耗(dB)在±20 mA时,最大值。: 2
  • 总频带插入损耗(dB)在±20 mA时,典型值: 1.6
  • 在±20 mA时的总频带插入损耗(dB),最大值。: 2.5
  • 输入功率 @ 1 dB 压缩 @ ±20 mA,典型值: 15
  • 最大无损输入功率: 30
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA 时,低量程典型值。: 65
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA,低量程最大值。: 50
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA,中范围典型值。: 50
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA,中范围最大值。: 40
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA 时,上限范围典型值。: 50
  • 输入/输出隔离度(dB),0 mA 时,上限范围最大值。: 35
  • 双相 amp (dB) 在 ±20 mA 时,总范围,典型值。: 0.1
  • 双相相位偏差(180°,±20 mA),总范围,典型值。: 1
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为Mini-Circuits代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ZAS-3+现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

ZAS-3+应用范围:

在射频测试系统中,ZAS-3+ 可作为衰减器和开关使用,提供精确的信号功率控制和切换功能。其低插入损耗(典型1.6 dB)和高隔离度(典型65 dB)特性,使其在信号发生器和频谱分析仪等测试设备中表现卓越,确保测量数据准确无误,减少信号失真。

在通信设备中,ZAS-3+ 作为双相调制器,支持数字调制应用,适用于无线基站和卫星通信系统。宽频率覆盖(1 MHz至2 GHz)和紧凑的M22封装设计,使其在空间受限的设备中高效运行,同时双相相位偏差典型1度,保证调制质量,提升整体系统性能。

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